A precíziós polírozás területén a nanogyémántok extrém Mohs-keménysége 10, valamint nagy fajlagos felülettel és nagy felületi aktivitással rendelkeznek nanoskálán. A kemény és törékeny anyagok, például a szilícium-karbid és a zafír feldolgozásakor képesek az atomi -szintű anyagok eltávolítására. A jelenleg általánosan alkalmazott detonációs és magas{4}}hőmérsékletű, nagynyomású (HTHP) szintézis módszerekkel előállított natív nanogyémánt részecskék azonban hajlamosak spontán agglomerációra. A munkadarab polírozásánál ez könnyen felületi karcolásokat, lyukakat, gyenge síkságot és egyéb problémákat okoz, közvetlenül csökkentve a termék kihozatalát. Korlátozza alkalmazásukat a kenőbevonatokban, a bioérzékelésben, a csúcsminőségű{8}}kompozit anyagokban és más területeken is. Ezért a nanogyémántok hatékony deagglomerációja és stabil diszperziója kulcsfontosságú a kiemelkedő tulajdonságaik teljes kiaknázásához és a csúcskategóriás alkalmazási piacok felszabadításához. Ez a cikk a nanogyémánt agglomeráció okaival kezdődik, és áttekinti az iparágban elterjedt négy fő deagglomerációs technológiai útvonalat.

Miért csoportosulnak össze a nanogyémántok?
A nanogyémánt részecskék rendkívül kicsik, átmérőjük mindössze 2-50 nanométer, és nagyon nagy fajlagos felületük van. Fizikailag eredendően instabil állapotban vannak. A stabilabb konfiguráció elérése érdekében ezek az ultrafinom részecskék spontán módon adszorbeálódnak egymáshoz, és agglomerálódnak, -ez a klaszterképződési hajlamuk kiváltó oka. Ugyanakkor a részecskék felületén sok telítetlen aktív hely található, amelyek könnyen adszorbeálják a nedvességet és a szennyeződéseket a levegőből, tovább kényszerítve a részecskék szorosan egymáshoz tapadását, és súlyosbítva a csomósodási problémát, hagyományos lágy agglomerátumokat képezve. Az ilyen lágy agglomerátumokat jellemzően főleg fizikai erők tartják össze, például van der Waals erők, elektrosztatikus vonzás és kapilláris erők, a részecskék elsősorban pontszerű vagy szögletes érintkezésben vannak, ami viszonylag gyenge kötési erőket eredményez.
A detonációs módszerrel előállított nanogyémántok felületén azonban maradvány szennyeződések találhatók, például grafitos szén és amorf szén. A magas hőmérsékletű-szintézis során a szomszédos részecskék közvetlenül erős szén-szén kötéseket hozhatnak létre. Ez a későbbi szárítás és tárolás során a felületi csoportok dehidratálásával és kikeményítésével párosulva végül sűrű, erősen kötődő kemény agglomerátumokat eredményez. Ezeket a kemény agglomerátumokat közönséges külső erők önmagukban nem tudják szétszedni, ami komoly kihívás elé állítja a nanogyémántok alkalmazását.
Hogyan lehet deagglomerálni a nanogyémántokat?
A fenti agglomerációs mechanizmusokra válaszul az ipar többféle deagglomerációs technológiát fejlesztett ki nanogyémántok számára, amelyek négy fő kategóriába sorolhatók: fizikai diszperziós módszerek, szervetlen kémiai módszerek, nagy-energiájú módszerek és felületi kémiai módosítási módszerek.
01 Fizikai diszperziós módszerek
A fizikai diszperziós módszerek mechanikai erőkre támaszkodnak a részecskék közötti vonzás leküzdésére és a lágy agglomerátumok erőszakos feldarabolására. Az ilyen fizikai diszpergáló eszközök azonban nem tudják garantálni a szuszpenzió hosszú távú stabilitását, és jellemzően segéddiszperziós technikákként használják őket. A gyakori módszerek a következők:
(1) Nagy{0}}energiájú golyósmarás: Ez a legelterjedtebb mechanikai módszer. A nagy sebességű ütközések és a csiszológolyók közötti nyírás által generált mechanikai energiát használja fel a mikron méretű agglomerátumok nanométeres méretig történő összezúzására. Jellemzően diszperziós közeg (pl. víz vagy alkoholok) biztosítja a kenést és az előzetes stabilizálást, így a nedves golyós őrlés hatékonyabb, mint a száraz golyós őrlés.
(2) Ultrahanggal segített diszperzió: Ez a módszer a folyadékok kavitációs hatását használja fel a klaszterek deagglomerálására. Az ultrahangos terjedés során mikrobuborékok keletkeznek a folyadékban. Az ultrahangos tér időszakos kompressziója és ritkulása hatására ezek a buborékok rezonanciaméretre nőnek, majd hevesen összeesnek. A pillanatnyi összeomlás lokalizált magas hőmérsékletű, nagy nyomású és erős lökéshullámokat, valamint nagy sebességű mikrosugarat generál nagyon kis helyen, ezáltal megzavarja a van der Waals erőket, az elektrosztatikus adszorpciót és a részecskék közötti egyéb kötőerőket, és a nagy agglomerátumokat mikron-nano méretű, egyedileg diszpergált részecskékre bontja.
02 Szervetlen kémiai módszerek
A szervetlen kémiai eljárások olyan folyamatokat foglalnak magukban, mint a savas mosás, a hidrogénezéses lágyítás és az oxidációs lágyítás a fémvegyületek és a nem gyémánt szén (beleértve a grafitot és az amorf szenet) eltávolítására a nanogyémántok felületéről, ezáltal hatékonyan csökkentve a kemény agglomerációt.
(1) Savas mosás: Az erős savakkal, például salétromsavval vagy sósavval történő kezelés feloldhatja és eltávolíthatja a fémes szennyeződéseket, miközben számos oxigéntartalmú funkciós csoportot -, például karboxil- (-COOH), hidroxil- (-OH) és karbonil- (C=O) csoportot visz a nanogyémánt felületére-. Vizes oldatokban ezek a poláris csoportok ionizálódnak, negatív felületi töltést adnak a részecskéknek, elektrosztatikus taszítást keltenek a részecskék között, és így akadályozzák az agglomerációt.
(2) Oxidációs hőkezelés: A nanogyémántok levegőben vagy oxigénatmoszférában történő hevítése hasonlóképpen oxigéntartalmú funkciós csoportokat visz fel a felületre. A folyékony fázisú savas oxidációhoz képest előnye, hogy a feldolgozás során nem keletkezik folyékony hulladék, így alkalmas nagyüzemi folyamatos gyártásra.
(3) Hidrogénezési hőkezelés: Az oxidációval ellentétben a hidrogénezéses lágyítás magában foglalja a nanogyémántok magas hőmérsékleten, hidrogénatmoszférában történő hevítését, hogy eltávolítsák az oxigéntartalmú felületi csoportokat, és így hidrogénvégződésű felület alakul ki (pl. -CH₂ csoportok). A hidrogénezést követően a nanogyémánt felülete hidrofób lesz, ami jelentősen javítja diszpergálhatóságát nem poláris oldószerekben.
03 Nagy energiájú terepi módszerek
A nagyenergiájú terepi módszerek extrém fizikai mezőket, például lézereket vagy plazmát használnak, hogy közvetlenül az agglomerált struktúrákra hatnak, hatékonyan és tisztán roncsolják a nanogyémántok kemény agglomerátumait, és elősegítik a stabil diszperziót a közegben.
(1) Plazma-asszisztált diszperzió: A plazma által generált nagyenergiájú részecskék (pl. ionok, elektronok) bombázzák a nanogyémánt agglomerátumokat, nem csak erős fizikai hatásokat és mikrosugarakat keltenek, hanem közvetlenül megbontják a nanogyémánt részecskék közötti kovalens kötéseket és megváltoztatják felületük kémiai állapotát, végül megzavarják a kemény agglomerációt.
(2) Lézerrel segített diszperzió: A lézerek rendkívül nagy energiasűrűsége egyrészt közvetlenül megszakíthatja a nanogyémánt részecskék közötti kovalens kötéseket (különösen a felületi sp²-hibridizált szénréteg és az sp³ gyémántmag közötti határfelületi kötéseket), valamint az intermolekuláris van der Waals erőket. Másrészt a lézerenergiát folyékony közegek, például víz elnyelik, lavinaionizációt váltva ki, és plazmacsóvokat generálnak. A plazma azonnali heves tágulása lokálisan erős lökéshullámokat hoz létre, amelyek befolyásolják és megbontják a nanogyémánt agglomerátumok fizikailag kötött szerkezetét, ezáltal hatékony deagglomerációt érnek el.
04 Felületi szerves kémiai módosítás
Az agglomeráció spontán folyamat, alacsony aktiválási energiával. Még ha az agglomerátumokat külső erők átmenetileg szét is bontják, mindaddig, amíg a részecskefelület állapota alapvetően nem változott meg, az újonnan szabaddá vált felületek gyorsan újra aggregálódnak a fent említett erők hatására. A felület szerves kémiai módosítása ezért elengedhetetlen eszköz a diszperzió stabilitásának fenntartásához a deagglomeráció után a részecske felületi állapotának megváltoztatásával. Jelenleg a fő megközelítések közé tartozik az arilezés, a szulfonálás-gyémánt funkcionalizálás és a fotograftizálás.
(1) Ariláció: Ha a nanogyémánt felületére aromás gyűrűs csoportokat, például fenil- vagy naftilcsoportot viszünk be, felületi lógó kötési helyeket foglalhatnak el, míg a merev szerkezetük által biztosított sztérikus akadály hatékonyan megakadályozza a részecskék közeledését. Ezenkívül a bevezetett aromás gyűrűk rögzítési pontként szolgálhatnak a további funkcionalizáláshoz.
(2) Szulfonálás: Szulfonsavcsoportok (-SO₃H) bevitele a nanogyémánt felületére szulfonálási reakciókkal. A szulfonsavcsoportok erősen savasak és vizes oldatban teljesen ionizálódnak, jelentősen megváltoztatva a részecskék felületi zéta potenciálját. Ez erős elektrosztatikus taszítást hoz létre a nanogyémánt részecskék között, hatékonyan ellensúlyozva a van der Waals vonzást, és megakadályozza az újraagglomerációt, ezáltal eléri a deagglomerációt és fenntartja a stabil diszperziót. Ugyanakkor a szulfonálás megváltoztatja a nanogyémántok felületi kémiáját, növelve a felületi polaritást és jelentősen javítva a részecskék nedvesíthetőségét poláris oldószerekben (pl. víz).
(3) Fotóoltás: Ultraibolya vagy látható fénnyel történő besugárzás alkalmazása a nanogyémánt felület gerjesztésére vagy fényérzékenyítők alkalmazása szabad gyökök létrehozására, amelyek elindítják az olefin monomerek polimerizációját a felületen, hosszú polimerláncokat oltva. A gyakori ojtási monomerek közé tartozik az akrilsav, az akrilamid, a metil-metakrilát stb. A polimer láncok oldószerekben kiterjesztett konformációt vesznek fel, és sztérikus akadályréteget képeznek, amelynek vastagsága több nanométertől több tíz nanométerig terjed. A taszító erő a részecskék közötti távolság csökkenésével meredeken növekszik, így ez az egyik leghatékonyabb eszköz az agglomeráció megelőzésére. A fotografting előnyei közé tartozik az enyhe reakciókörülmények, valamint az oltási sűrűség és lánchossz pontos szabályozása a besugárzási idő és a monomerkoncentráció beállításával.

