A tömeggyártásban áttörést értek el egy innovatívmint kilőveMindössze 70 mikrométer (0,07 mm) vastagságú szilícium-nitrid kerámia szubsztrát - új hazai rekordot állít fel az ultravékony szilícium-nitrid szubsztrátumgyártás terén, és a vállalat iparosítási képességét az iparág első szintjére emeli.
A fejlesztőcsapat ezt kulcsfontosságú technológiákkal érte el, beleértve a precíz kristályfázis-szabályozást és az ultrafinom por iszapok optimalizálását. Elfogadtak egy új, integrált egylépéses alakítási és szinterezési eljárást is, amely kiküszöböli az őrlési lépést, és lehetővé teszi a közel 2000 fokos közvetlen égetést. Ez a megközelítés jelentősen javítja az anyagfelhasználást és a termelés hatékonyságát. Az így kapott hordozók nemcsak rekordvékony, 70 μm vastagságot érnek el, hanem akár 120 fokos nagyszögű hajlítást is kibírnak törés nélkül, 1200 MPa stabil hajlítószilárdsággal és körülbelül 85 W/m·K hővezető képességgel.
A szilícium-nitrid szubsztrátumokat főként mesterséges intelligencia-chipek, elektromos járművek meghajtómoduljai és más nagy teljesítményű eszközök csomagolására használják. A kerámiák eredendően kemények és törékenyek, és a szilícium-nitrid hordozóknál gyakoriak a repedések és a vetemedések az alakítás és szinterezés során - minél vékonyabb az aljzat, annál kisebb a termelési hozam. Jelenleg a hazai gyártású szubsztrátumok vastagsága jellemzően 0,254 mm körüli. A vastagság közvetlenül meghatározza a hőellenállást: a vékonyabb hordozó csökkenti a hőellenállást és lerövidíti a hőelvezetési utat, ami kritikus fontosságú a nagy teljesítményű alkatrészek, például az AI chipek hűtési igényeinek kielégítésében. Ugyanakkor az ultravékony hordozók értékes helyet takarítanak meg az elektronikus eszközökben, így kulcsfontosságúak a modulok miniatürizálásában és könnyítésében.
Ez az áttörés az ultravékony szilícium-nitrid kerámia hordozók terén jelentős előrelépést jelent a fejlett kerámiaanyagok terén. Nemcsak a régóta fennálló „vékony, de törékeny” műszaki szűk keresztmetszetet küszöböli ki, hanem kritikus anyagi alapot is biztosít a nagy teljesítményű elektronikus eszközök miniatürizálásához, nagy megbízhatóságához és hatékony hőkezeléséhez innovatív feldolgozási útvonalakon keresztül.