A SiC félvezető eszközök gyártási folyamata több lépésből áll, beleértve a kristálynövekedést, a szeletelést, a polírozást, a tisztítást, az oxidációt, a maratást és a csomagolást. Ezek közül a kristálynövekedés és az ostyaszeletelés a legkritikusabb folyamatok, mivel ezek jelentősen befolyásolják a hordozó minőségét, a későbbi feldolgozás hatékonyságát és a végső készülék teljesítményét.
Az iszapos drótfűrészelés egy ingyenes-csiszoló drótfűrészelési módszer. A fémhuzalt a kifizető-egységből huzalvezetőkön és feszességet szabályozó egységeken keresztül vezetik a vezetőgörgőkbe. A vezetőgörgőkön több fémhuzal huzalszövetet alkot, amely a vezetőgörgők forgása által meghatározott lineáris sebességgel mozog. Ezzel egyidejűleg egyetlen -kristály SiC tömböt egy adagolóegység bizonyos előtolási sebességgel táplál a huzalszalag felé. Ahogy a tuskó mozog, a fúvókákon keresztül csiszolószemcséket hordozó iszapot permeteznek a huzalszalagra. A fémhuzal meghajtja a zagyot, és a csiszolóanyagot a feldolgozási zónába juttatja, miközben nyomást gyakorol a csiszolóanyagra. A csiszolóanyagok a tuskó és a fémhuzal közötti szilárd-folyadék keverési tartományban végeznek vágást. A szuszpenziós drótfűrészelésnél a zagy a csiszolóanyagok hordozójaként működik, stabil diszperziót biztosítva a szuszpendált részecskéknek, ezért bizonyos viszkozitást igényel. Ugyanakkor a szuszpenziónak jó folyékonyságot kell mutatnia ahhoz, hogy a csiszolóanyagokat a drótfűrésszel együtt hajtsa. A vágási zóna túlzott hőmérséklet-emelkedésének megakadályozása érdekében a hígtrágyának jó hővezető képességre is szüksége van. A gyakorlatban a polietilénglikolt általában csiszolóanyagok diszpergálószereként használják. Az iszapos huzalfűrészelés jelentős előnyeivel, mint például a keskeny vágásszélesség és az egyenletes szeletelési vastagság uralja a 4H-SiC anyagok szeletelését, és kulcsfontosságú technológia a nagy-precíziós vágás eléréséhez. Ennek a technikának azonban számos egyértelmű hátránya van: először is viszonylag alacsony feldolgozási hatékonyság a korlátozott zagy folyékonysága és a csiszolóanyag felhasználása miatt, ami lassú vágási sebességet eredményez; másodszor, a csiszolóanyagok jelentős pazarlása a vágás során, ami alacsony csiszolóanyag-felhasználáshoz és megnövekedett feldolgozási költségekhez vezet; továbbá a hígtrágya használata szennyezést generál, ami korlátozza alkalmazási körét.
Az elmúlt években a gyémánt huzalfűrészelési technológia széles körben felkeltette a figyelmet a magas feldolgozási hatékonyság, az alacsony huzalfogyasztási költségek és a környezetbarát előnyei miatt. A gyémánthuzalos fűrészelés során a drótfűrészre rögzített gyémánt csiszolóanyagot használnak fix vágási pontokként, amelyek megkarcolják a kristály felületét. A gyémánthuzal általában rozsdamentes acélhuzal, amely nikkel-alapú ötvözet- vagy gyantaréteggel van bevonva. A mikro-méretű kemény részecskéket csiszolóanyagként ágyazzák be a nikkel-alapú ötvözet- vagy gyantarétegbe galvanizálási, kötési vagy hegesztési technikákkal. A vágás során a csiszolóanyagok közvetlenül érintkeznek a tuskó felületével, és két-testkopás révén eltávolítják a vágásból a kristályanyagot. A szilícium lapka szeletelésekor szilícium-karbid (SiC) részecskéket gyakran használnak kemény csiszolóanyagként. A 4H-SiC szeletekhez gyémántrészecskéket használnak csiszolóanyagként. Az iszapos huzalfűrészeléssel ellentétben ez a technika jellemzően víz{13}}alapú hűtőfolyadékot használ, ezért környezetbarátabb. A hagyományos SiC huzalfűrészelés nagy anyagveszteséggel és hosszú feldolgozási idővel jár. Az érintkezés{16}}alapú megmunkálási módszer hibakárosodást és maradékfeszültséget is okoz, ami egyes esetekben rossz termékminőséget és magas gyártási költségeket eredményez. Ahogy az ostyák mérete folyamatosan növekszik, a szilícium-karbid-ipar további költségcsökkentése és hatékonyságjavítása szempontjából kulcsfontosságú szűk keresztmetszetté vált a szeletelés által kiváltott hibák és vetemedés hatékony kiküszöbölése, ugyanakkor a szeletelés hatékonyságának és az anyagfelhasználásnak a biztosítása.
A lézeres emelő-technológia az érintésmentes feldolgozás, a nagy pontosság és az alacsony veszteség jelentős előnyeivel együtt a SiC szubsztrátumgyártás szűk keresztmetszete áttörésének kulcsfontosságú irányává vált. Ez a technológia ötvözi a vertikális lézeres módosítást és az ellenőrzött kristályok delaminációját. Lényege a precíz energiaszabályozásban rejlik, hogy előre meghatározott mélységben hasítási felületet hozzon létre a kristály belsejében, és ezáltal nagy-pontosságú, nagy{5}}hatékonyságú szeletleválasztás érhető el. A hagyományos lézeres feldolgozási eljárások főként ablációs hatásokon vagy párhuzamos módosítási technikákon alapulnak, jellemzően csak a lézeres beesési irány mentén történő vágásra alkalmasak. Ezzel szemben a lézeres lift{8}}technológia precíziós mechanikai struktúrákat vagy felületi feszültségrétegeket használ a kristály repedéseinek előidézésére egy előre meghatározott hasítási síkban, és ezzel egy vékony réteg teljes leválását éri el. Ez a technológia jelentős előnyöket kínál a precíziós szabályozás, az anyagkár-csökkentés és az anyagok széleskörű alkalmazhatósága terén, így jobban megfelel az alacsony{10}}veszteségű, nagy{11}}hatékonyságú, nagyméretű ipari termelés igényeinek. A lézeres feldolgozási módszerek hatékonyan javítják a kemény és törékeny anyagok gyártási hatékonyságát, de a feldolgozás minősége a folyamatparaméterek pontos szabályozásától függ, amelyek optimalizálása közvetlenül befolyásolja a végeredményt.
Összefoglalva, a hagyományos huzalfűrészelési módszerekkel ellentétben az érintésmentes lézeres emelő-technológia hatékonyan elkerüli az olyan problémákat, mint a vágószerszám kopása és a mechanikai igénybevétel által okozott SiC lapka meghibásodása, ezáltal kiváló-minőségű és nagy{3}}precíziós rétegelválasztás érhető el. A lézeres lift{5}}technológia jelentősen javítja a SiC lapkák feldolgozási hatékonyságát és minőségét, miközben csökkenti a SiC szubsztrátumok előkészítési költségeit, kiemelkedő előnyöket kínálva a magas gyártási hatékonyság és az alacsony anyagveszteség révén.